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HSH15810
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 描述
- 100% EAS 保证。有绿色环保产品。超低导通电阻 RDS(ON)。先进的高单元密度沟槽技术
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSH15810
- 商品编号
- C701020
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.687克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 227W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.725nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 保证 100% 通过 EAS 测试
- 提供绿色环保器件
- 超低导通电阻 RDS(ON)
- 先进的高单元密度沟槽技术
- N 沟道 100V 快速开关 MOSFET 产品概述
应用领域
- 电机驱动器-电池管理系统 (BMS)-高频开关和同步整流