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HSP200N02
1个N沟道 耐压:200V 电流:70A
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- 描述
- HSP200N02是高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSP200N02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备全面的可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSP200N02
- 商品编号
- C701023
- 商品封装
- TO-220FB-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.082nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 129pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSP200N02是高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSP200N02符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 适用于功率开关应用
- 提供绿色环保器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 采用先进的高单元密度沟槽技术