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HSU0115
1个P沟道 耐压:100V 电流:18A
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- 描述
- HSU0115采用先进的沟槽MOSFET技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷特性，适用于各种其他应用。HSU0115符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过易感性雪崩耐量（EAS）测试，并经过全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- HUASHUO(华朔)
- 商品型号
- HSU0115
- 商品编号
- C701016
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.389克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.029nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
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