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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

TPD65R280D

1个N沟道 耐压:650V 电流:15A

  • SMT扩展库
  • PCB免费打样
品牌名称
无锡紫光微
商品型号
TPD65R280D
商品编号
C691598
商品封装
TO-252-2
包装方式
编带
商品毛重
0.456克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))230mΩ@10V,7.5A
耗散功率(Pd)104W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)30nC@10V
输入电容(Ciss)1.25nF@50V
反向传输电容(Crss)7.1pF@50V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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