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TPB80R300C

1个N沟道 耐压:800V 电流:15A

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品牌名称
无锡紫光微
商品型号
TPB80R300C
商品编号
C691608
商品封装
TO-263-2​
包装方式
管装
商品毛重
2.645克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)-
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))260mΩ@10V,7.5A
耗散功率(Pd)151W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)46nC@10V
输入电容(Ciss)2.33nF
反向传输电容(Crss)7pF
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品概述

超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术,它依据超结原理设计并开创。多外延超结MOSFET提供了极快速且坚固的体二极管。同时,该器件具有极低的开关、通信和传导损耗,且坚固性极高,尤其使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便且低温。

商品特性

  • 超快体二极管
  • 极低的品质因数(导通电阻RDS(on)乘以栅极电荷Q_g)
  • 易于使用/驱动
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-功率因数校正(PFC)-LLC半桥-充电器

数据手册PDF