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TPA60R170MFD
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
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- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPA60R170MFD
- 商品编号
- C691615
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.946克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.867nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（R_DS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 超快体二极管
- 极低的品质因数 RDS(on) x Qg
- 易于使用/驱动
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-功率因数校正(PFC)-LLC半桥电路-充电器