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TPA60R170MFD
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
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- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPA60R170MFD
- 商品编号
- C691615
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.946克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.867nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（R_DS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 0.4mm超薄封装，适用于轻薄应用
- 0.48 mm²封装尺寸，比SOT23小16倍
- 低VGS(th)，可直接由电池驱动
- 低RDS(on)
- ESD保护
- 完全无铅，完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
- 负载开关
- 便携式应用
- 电源管理功能