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TPA60R260MFD实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPA60R260MFD

1个N沟道 耐压:600V 电流:15A

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描述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术,它依据超结(SJ)原理设计并率先推出。多外延SJ MOSFET提供了极快速且耐用的体二极管。此外,该器件还具备极低的开关、通信和传导损耗,且耐用性极高,尤其能让谐振开关应用更加可靠、高效、轻便且散热更佳
品牌名称
无锡紫光微
商品型号
TPA60R260MFD
商品编号
C691617
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.94克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))230mΩ@10V,7.5A
耗散功率(Pd)32W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)28.5nC@10V
输入电容(Ciss)1.194nF@100V
反向传输电容(Crss)2.4pF@100V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
输出电容(Coss)62pF

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