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TPW65R135MFD
650V超结功率MOSFET
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- 描述
- 超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计并首创。多外延SJ MOSFET具备极快速且耐用的体二极管。此外，该器件还具有极低的开关、通信和传导损耗，且耐用性极高，这使得它尤其适用于谐振开关应用，能让其更可靠、更高效、更轻便且发热更低，同时也适用于工业级应用，如AC - DC开关电源（SMPS）
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPW65R135MFD
- 商品编号
- C691632
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 135mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 219W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 83pF |
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