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TPD70R1K5M
700V超结功率MOSFET
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- 描述
- 超结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。超结MOSFET是一款性价比优化的产品，适用于消费和照明市场中对成本敏感的应用。
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPD70R1K5M
- 商品编号
- C691650
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.697克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 225pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.4pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结原理设计并开创。多外延超结MOSFET提供了极快且稳健的体二极管。此外，该器件具有极低的开关、通信和传导损耗，且具备极高的稳健性，尤其使谐振开关应用更可靠、更高效、更轻便且更低温。
商品特性
- 超快体二极管
- 极低的品质因数（导通电阻RDS(on) × 栅极电荷Qg）
- 易于使用/驱动
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-功率因数校正(PFC)-LLC半桥-充电器