温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TTD120N03AT
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TTD120N03AT
- 商品编号
- C691675
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.413克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.782nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 376pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。SJ MOSFET是一款性价比优化的产品，适用于消费和照明市场中对成本敏感的应用。
商品特性
- 极低的品质因数（导通状态下漏源电阻 × 栅极电荷）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 集成ESD保护二极管
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）