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TTD120N03AT
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TTD120N03AT
- 商品编号
- C691675
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.413克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.782nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 376pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。SJ MOSFET是一款性价比优化的产品，适用于消费和照明市场中对成本敏感的应用。
商品特性
- 沟槽功率MOSFET技术
- 低 RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 针对快速开关应用进行优化
应用领域
- DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器