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TTB85N08A
1个N沟道 耐压:85V 电流:85A
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- 描述
- 沟槽功率技术。低RDS(ON)。低栅极电荷。针对快速开关应用进行了优化
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TTB85N08A
- 商品编号
- C691700
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.673克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.4mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.4nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 204pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |