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TSJ10N10AT
1个N沟道 耐压:100V 电流:8A
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- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TSJ10N10AT
- 商品编号
- C691716
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.153克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.134nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.3pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
~~- 沟槽功率DTMOS技术-低导通电阻RDS(ON)-低栅极电荷-针对快速开关应用进行优化
应用领域
- DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流-电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器
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