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TTD30P03AT
30V P沟道沟槽MOSFET
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- 描述
- Trench Power技术。低RDS(ON)。低栅极电荷。针对快速开关应用进行了优化
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TTD30P03AT
- 商品编号
- C691663
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.406克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.087nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 216pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |