温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TTD18P10AT
1个P沟道 耐压:100V 电流:18A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻（RDS(ON)）。 低栅极电荷。 针对快速开关应用进行了优化。应用：负载开关。 电池开关
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TTD18P10AT
- 商品编号
- C691667
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.407克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.182nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 102pF |
商品概述
这款超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用场景。
商品特性
- 业界最低的漏源导通电阻（RDS(on)）×面积
- 业界最佳品质因数（FoM）
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用