TTD18P10AT
1个P沟道 耐压:100V 电流:18A
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- 品牌名称无锡紫光微
商品型号
TTD18P10AT商品编号
C691667商品封装
TO-252-2包装方式
编带
商品毛重
0.407克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 18A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 80mΩ@10V,9A | |
功率(Pd) | 113W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.7V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 70nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 4.182nF@50V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 53pF@50V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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