1个N沟道 耐压:800V 电流:6A
- 1+: ¥3.08 / 个
- 10+: ¥2.73 / 个
- 30+: ¥2.56 / 个
- 100+: ¥2.38 / 个
- 500+: ¥2.28 / 个
- 1000+: ¥2.23 / 个 (折合1圆盘5575元)
1+: |
¥3.08 / 个 |
10+: |
¥2.73 / 个 |
30+: |
¥2.56 / 个 |
100+: |
¥2.38 / 个 |
500+: |
¥2.28 / 个 |
1000+: |
¥2.23 / 个 (折合1圆盘5575元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
功率(Pd) | 63W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 790mΩ@10V,3A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 13nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 528.6pF@100V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 0.31pF@100V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |