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TPD80R900M
1个N沟道 耐压:800V 电流:6A
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- 描述
- 超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据SJ原理设计。多外延SJ MOSFET提供了一种极低开关、通信和传导损耗的器件，具有最高的稳健性，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPD80R900M
- 商品编号
- C691658
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.454克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 790mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 528.6pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.31pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |