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TPA65R1K5M
1个N沟道 耐压:650V 电流:3A
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- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPA65R1K5M
- 商品编号
- C691641
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 225pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.4pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项突破性技术，它依据超结原理设计并开创先河。多外延超结MOSFET提供了极快速且耐用的体二极管。同时，该器件具有极低的开关、通信和传导损耗，且耐用性极高，尤其使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便且散热良好，也适用于工业级应用，如AC-DC开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）、AC/DC电源转换要求。
商品特性
- 超快体二极管
- 极低的品质因数（导通电阻RDS(on)乘以栅极电荷Qg）
- 易于使用/驱动
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）
- LLC半桥
- 充电器