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TPD70R360M
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 310mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 871pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这些超高压N沟道功率MOSFET采用基于创新专有垂直结构的MDmesh™ K5技术设计而成。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 业内最低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 业内最佳的品质因数（FoM）
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用