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TPA65R190MFD
650V超结功率MOSFET
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- 描述
- 超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据SJ原理设计。SJ MOSFET是一款性价比优化的产品，适用于消费和照明市场中对成本敏感的应用。
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPA65R190MFD
- 商品编号
- C691634
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.96克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.834nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.7pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 57pF |
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