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TPW60R120MFD实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPW60R120MFD

1个N沟道 耐压:600V 电流:30A

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品牌名称
无锡紫光微
商品型号
TPW60R120MFD
商品编号
C691613
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
8克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))105mΩ@10V,15A
耗散功率(Pd)219W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)58.1nC@10V
输入电容(Ciss)2.524nF@100V
反向传输电容(Crss)1.71pF@100V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品概述

超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术,它依据超结原理设计并率先推出。多外延超结MOSFET提供了极快速且耐用的体二极管。此外,该器件具有极低的开关、通信和传导损耗,且拥有极高的耐用性,尤其使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便且低温。

商品特性

  • 超快体二极管
  • 极低的品质因数RDS(on) × Qg
  • 易于使用/驱动
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 开关模式电源 (SMPS)
  • 不间断电源 (UPS)
  • 功率因数校正 (PFC)
  • LLC半桥
  • 充电器

数据手册PDF