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TPD65R380D
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- 超结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。深沟槽超结MOSFET是一款开关损耗、通信损耗和传导损耗极低的器件，具有极高的鲁棒性，尤其能使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便且散热良好。
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPD65R380D
- 商品编号
- C691600
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.455克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 767pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 输出电容(Coss) | 42pF |
优惠活动
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