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TPB65R070D
1个N沟道 耐压:650V 电流:45A
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- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPB65R070D
- 商品编号
- C691595
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.239克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,22A | |
| 耗散功率(Pd) | 312W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.134nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT457（SC-74）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 低阈值电压
- 扩展温度范围，结温Tj = 175℃
- 极快速开关
- 沟槽MOSFET技术
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路