TPD65R280D
1个N沟道 耐压:650V 电流:15A
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- 品牌名称无锡紫光微
商品型号
TPD65R280D商品编号
C691598商品封装
TO-252-2包装方式
编带
商品毛重
0.456克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流(Id) | 15A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 230mΩ@10V,7.5A | |
功率(Pd) | 104W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 30nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.25nF@50V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 7.1pF@50V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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