温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TPA65R070D
1个N沟道 耐压:700V 电流:45A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPA65R070D
- 商品编号
- C691594
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.947克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,22A | |
| 耗散功率(Pd) | 53W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.134nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结原理设计。深沟槽超结MOSFET是一种开关损耗、通信损耗和传导损耗极低且具有高稳健性的器件，尤其能使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便且散热性能更好。
商品特性
- 极低的品质因数RDS(on) × Qg
- 经过100%雪崩测试
- 易于使用/驱动
- 符合RoHS标准