IXFA36N30P3
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 347W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
650 V CoolSiC™基于英飞凌20多年来开发的成熟碳化硅技术打造。凭借宽带隙碳化硅材料的特性，650 V CoolSiC™ MOSFET集高性能、高可靠性和易用性于一身。它适用于高温和恶劣的工作环境，能够以简单且经济高效的方式实现最高的系统效率。
商品特性
- 大电流下开关性能优化
- 换向稳健的快速体二极管，Qfr低
- 出色的栅极氧化物可靠性
- 最高结温Ti, max = 175°C，热性能优异
- RDS(on)和脉冲电流随温度的变化更小
- 雪崩能力增强
- 与标准驱动器兼容
- 开尔文源极可将开关损耗降低至原来的四分之一
应用领域
- 开关电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-太阳能光伏逆变器-电动汽车充电基础设施-储能与电池化成-D类放大器