IXFA36N30P3
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 347W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
650 V CoolSiC™基于英飞凌20多年来开发的成熟碳化硅技术打造。凭借宽带隙碳化硅材料的特性，650 V CoolSiC™ MOSFET集高性能、高可靠性和易用性于一身。它适用于高温和恶劣的工作环境，能够以简单且经济高效的方式实现最高的系统效率。
商品特性
- 国际标准封装
- 快速本征整流器
- 雪崩额定值
- 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG
- 低封装电感
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流-直流转换器
- 激光驱动器
- 交流和直流电机驱动器
- 机器人技术和伺服控制