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IXFN50N120SIC实物图
  • IXFN50N120SIC商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFN50N120SIC

IXFN50N120SIC

商品型号
IXFN50N120SIC
商品编号
C6280720
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)47A
导通电阻(RDS(on))50mΩ@20V
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.6V
栅极电荷量(Qg)100nC
输入电容(Ciss)1.9nF
反向传输电容(Crss)13pF
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的后续产品,是针对移相全桥(ZVS)和LLC等软开关应用量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷(Qg)、拥有同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)并改善了关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合,且在设计导入过程中不影响其易实现性。

商品特性

  • 低电容高速开关
  • 低导通电阻(RDS(on))、高阻断电压
  • 易于并联且驱动简单
  • 雪崩耐受性强
  • 抗闩锁

应用领域

-太阳能逆变器-高压 DC/DC 转换器-电机驱动器-开关模式电源-不间断电源(UPS)-电池充电器-感应加热

数据手册PDF