IXFX32N100P
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 960W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 225nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用175°C LFPAK88封装的330 A连续电流、逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。采用安世半导体（Nexperia）独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术，可实现高效率和低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关，但无高漏电流问题。该ASFET特别适用于需要强雪崩能力、线性模式性能、高开关频率使用，以及在高负载电流下实现安全可靠开关的36 V电池供电应用。
商品特性
- 快速本征二极管
- 国际标准封装
- 具备非箝位电感开关(UIS)额定值
- 封装电感低
- 易于驱动和保护
- 易于安装
- 节省空间
- 功率密度高
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- DC-DC 转换器
- 激光驱动器
- 交流和直流电机控制
- 机器人和伺服控制