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IXFN520N075T2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFN520N075T2

IXFN520N075T2

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商品型号
IXFN520N075T2
商品编号
C6280722
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)75V
连续漏极电流(Id)480A
导通电阻(RDS(on))1.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)940W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)545nC@10V
输入电容(Ciss)41nF
反向传输电容(Crss)530pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型-
输出电容(Coss)-

商品概述

CoolMOS™ 第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术,它基于超结(SJ)原理设计,由英飞凌科技公司率先推出。600V CoolMOS™ P7系列是CoolMOS™ P6系列的继任者。它将快速开关超结MOSFET的优势与出色的易用性相结合,例如极低的振铃倾向、体二极管在硬换向时的出色耐用性以及卓越的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

商品特性

  • 国际标准封装
  • miniBLOC,带氮化铝隔离
  • 工作温度 175°C
  • 隔离电压 2500 V~
  • 高电流处理能力
  • 快速本征二极管
  • 雪崩额定
  • 低导通电阻(RDS(on))
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

-直流-直流转换器和离线式不间断电源(UPS)-初级侧开关-高速功率开关应用

数据手册PDF