IXFR64N60Q3
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 104mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 568W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大至HEX - 4尺寸的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它具有最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。
商品特性
- 直接敷铜(DCB)基板上的硅芯片
- 隔离安装面
- 低本征栅极电阻
- 2500V~电气隔离
- 快速本征整流器
- 雪崩额定值
- 低封装电感
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
-DC-DC 转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-温度和照明控制