IXFR32N80Q3
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.94nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 直接敷铜陶瓷基板(DCB)上的硅芯片
- 隔离安装面
- 低本征栅极电阻
- 2500V~电气隔离
- 快速本征整流器
- 雪崩额定
- 低封装电感
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- DC-DC转换器
- 电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流斩波器
- 温度和照明控制