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IXFA4N100P引脚图
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IXFA4N100P

IXFA4N100P

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商品型号
IXFA4N100P
商品编号
C6280679
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))3.3Ω@10V
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)26nC
输入电容(Ciss)1.456nF
反向传输电容(Crss)16pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)90pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品概述

最新的650 V CoolMOS™ CFD7扩展了CFD7系列的电压等级,是650 V CoolMOS™ CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能,650 V CoolMOS™ CFD7在谐振开关拓扑(如LLC和移相全桥(ZVS))中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这一新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换流鲁棒性。CoolMOS™ CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(QG)
  • 雪崩额定
  • 低封装电感
  • 快速本征整流器
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流-直流转换器
  • 激光驱动器
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人技术和伺服控制

数据手册PDF