IXFA5N100P
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.83nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 国际标准封装
- 动态dv/dt额定值
- 雪崩额定
- 低RDS(ON)，耐用的Polar™工艺
- 低QG
- 低漏极至散热片电容
- 低封装电感
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- DC-DC转换器
- 电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
- 不间断电源
- 交流电机控制
- 高速功率开关应用