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IXFB60N80P实物图
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IXFB60N80P

IXFB60N80P

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商品型号
IXFB60N80P
商品编号
C6280691
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)60A
耗散功率(Pd)1.25kW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)250nC@10V
输入电容(Ciss)18nF
反向传输电容(Crss)44pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

英飞凌科技(马来西亚)有限公司位于居林的工厂将作为额外的晶圆生产基地,扩大OptiMOS™ 40V和60V产品在200mm晶圆的产能;对TO252 - 3封装的模塑料进行标准化。经产品鉴定和特性分析验证,电气、热参数和可靠性无变化。现有数据手册参数无变化。质量和可靠性无变化。对工艺进行优化,以确保产品性能符合英飞凌已应用的规格要求。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 快速恢复二极管
  • 具备非箝位感性开关(UIS)额定值
  • 封装电感低
  • 易于驱动和保护

数据手册PDF