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IXTR16P60P实物图
  • IXTR16P60P商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTR16P60P

1个P沟道 耐压:600V 电流:10A

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描述
特性:硅芯片位于直接铜键合(DCB)基板上。UL认证封装。隔离安装表面。2500V电气隔离。雪崩额定。坚固的PolarPTM工艺。应用:高端开关。推挽放大器
品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXTR16P60P
商品编号
C6280804
商品封装
TO-247-3​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))790mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)190W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)92nC@10V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 低导通电阻
  • 高功率封装(HSOP8)
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
  • 无卤
  • 100%进行Rg和UIS测试

应用领域

  • 开关应用

数据手册PDF