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IXFN210N20P

IXFN210N20P

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商品型号
IXFN210N20P
商品编号
C6280710
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
43.536克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)188A
导通电阻(RDS(on))10.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.07kW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)255nC@10V
输入电容(Ciss)18.6nF
反向传输电容(Crss)80pF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 国际标准封装
  • miniBLOC,带氮化铝隔离
  • 低封装电感,雪崩额定
  • 低RDS(ON)和 QG
  • 快速本征二极管
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

-直流-直流转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-交流和直流电机驱动器-不间断电源-高速功率开关应用

数据手册PDF