TK1R4F04PB,LXGQ
1个N沟道 耐压:40V 电流:160A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK1R4F04PB,LXGQ
- 商品编号
- C5798183
- 商品封装
- TO-220SM(W)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 205W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF |
商品特性
- 符合AEC-Q101标准
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.1 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
- 低漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 40V)
- 增强模式:Vth = 2.0至3.0 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)
应用领域
-汽车领域-开关稳压器-DC-DC转换器-电机驱动器