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IRF830PBF-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF830PBF-VB

1个N沟道 耐压:600V 电流:5.8A

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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N型MOSFET,采用Plannar技术,适用于低频电源转换器、电机驱动器、汽车电子系统等领域。TO220;N—Channel沟道,600V;8A;RDS(ON)=780mΩ@VGS=10V,VGS=30V;Vth=2~4V;
商品型号
IRF830PBF-VB
商品编号
C5456560
商品封装
TO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.81克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on))780mΩ@10V
耗散功率(Pd)170W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)49nC@10V
输入电容(Ciss)1.4nF
反向传输电容(Crss)7.1pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)180pF

商品概述

AGM085N10D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的漏源导通电阻(RDS(ON))。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 低漏源导通电阻(RDS(ON)),可将传导损耗降至最低
  • 低栅极电荷,实现快速开关
  • 低热阻
  • 100%雪崩测试
  • 100% DVDS测试

应用领域

  • MB/VGA Vcore
  • 开关电源二次同步整流
  • 负载点应用
  • 无刷直流电机驱动器

数据手册PDF