温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRF830PBF-VB
1个N沟道 耐压:600V 电流:5.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型MOSFET，采用Plannar技术，适用于低频电源转换器、电机驱动器、汽车电子系统等领域。TO220；N—Channel沟道,600V；8A；RDS(ON)=780mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF830PBF-VB
- 商品编号
- C5456560
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.81克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.1pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
AGM085N10D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)），可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源二次同步整流
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器
相似推荐
其他推荐
- IRFP140NPBF-VB
- IRFR13N15DTRPBF-VB
- IRFR15N20DTRPBF-VB
- IRFR2307ZTRPBF-VB
- IRFR310PBF-VB
- IRFR420BTM-VB
- IRFU120NPBF-VB
- IRFZ34NPBF-VB
- IRFZ34NSTRPBF-VB
- IRFZ48NPBF-VB
- IRL520NPBF-VB
- IRLI3615PBF-VB
- IRLL014NTRPBF-VB
- IRLL014TRPBF-VB
- IRLML2060TRPBF-VB
- IRLMS1503TRPBF-VB
- IRLU3103PBF-VB
- IRLU3410PBF-VB
- MMDF3P03HDR2G-VB
- NDS9952A-NL-VB
- NTGD4161PT1G-VB