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NDS9952A-NL-VB实物图
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NDS9952A-NL-VB

1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:8A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型沟道功率MOSFET，采用Trench工艺。具有双极性设计，能够同时控制正负极电流，适用于各种功率控制和开关应用。SOP8；N+P—Channel沟道,±30V；8/-8A；RDS(ON)=18/40mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±2V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
NDS9952A-NL-VB
商品编号
C5456580
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.147克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.8A
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V；40mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))1V；1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)18.5nC@10V；6.2nC@10V
输入电容(Ciss)620pF；510pF
反向传输电容(Crss)37pF；33pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)115pF；95pF

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