SI4463BDY-T1-E3-VB

1个P沟道 耐压:20V 电流:13A

描述

台积电流片，长电科技封装；是一款单路功率型沟道型MOSFET，采用Trench工艺，适用于多种领域的电路设计。其参数特性使其在低压、低功耗的应用环境中表现出色。适用于电源管理、LED驱动和电动汽车控制等领域的模块设计，在提高效率、降低功耗和保证稳定性方面具有显著的优势。SOP8；P—Channel沟道,-20V；-13A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-1.2V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

SI4463BDY-T1-E3-VB

商品编号

C5456596

商品封装

SO-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.161克(g)