TPCA8036-H-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,具有较高的漏极电压和漏极电流能力,以及低阈值电压和低开启电阻的特性。采用Trench技术制造,具有优良的性能稳定性和可靠性。适用于小型电路设计,有利于节省空间。DFN8(5X6);N—Channel沟道,30V;120A;RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
TPCA8036-H-VB商品编号
C5456613商品封装
DFN-8(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.153克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 80A |
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