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AO4800
30V, 8A, N沟道 MOSFET
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- 描述
- 应用于电源转换、电机驱动等场合，提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4800
- 商品编号
- C5456627
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1874克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 30V/8A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) = 23mΩ(最大值)
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 27mΩ(最大值)
- 在VGS = 2.5V时,RDS(ON) = 45mΩ(最大值)
- 可靠且耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
- 经过100% UIS测试
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。