AO3401PSA
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性:优秀的封装,利于散热。 高密度单元设计,实现超低导通电阻RDS(on)。 VDS = -30V,ID = -4.1A。 RDS(on) < 65mΩ(VGS = -10V时)。应用:电源开关应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- DOWO(东沃)
- 商品型号
- AO3401PSA
- 商品编号
- C5456621
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V,4.1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义,无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- DC/DC转换器
- 便携式应用的负载开关
