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AO3400NSA
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：高功率和电流处理能力-VDS = 30V，Id = 5.8A，RDS(on) < 28mΩ @VGS = 10V。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- DOWO(东沃)
- 商品型号
- AO3400NSA
- 商品编号
- C5456620
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V,5.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 702pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 66pF |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻（Rg）测试
- 100% 进行非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 同步整流
- 负载点（POL）、中间总线转换器（IBC）
- 次级侧
- N 沟道 MOSFET
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