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STD60NF3LLT4-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
STD60NF3LLT4-VB商品编号
C5456608商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A |
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