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SI4559DY-T1-GE3-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4559DY-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C5456597
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V；55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V；8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 665pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF；95pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品可选
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 标准
- 可选无卤产品
应用领域
- 冷阴极荧光灯管(CCFL)逆变器
- N 沟道 MOSFET
- P 沟道 MOSFET
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