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RSS070P05TB-VB

1个P沟道 耐压:40V 电流:10.2A

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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款一款单P型场效应管,采用Trench工艺制造,具备可靠性和性能稳定性。适用于广泛的领域和模块,包括电源管理、电动工具、电路保护、电源逆变和汽车电子等,为各种应用提供稳定可靠的性能和高效能的操作。SOP8;P—Channel沟道,-40V;-16.1A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1.2~-2.5V;
商品型号
RSS070P05TB-VB
商品编号
C5456588
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.151克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)10.2A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
耗散功率(Pd)4W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)33nC@4.5V
输入电容(Ciss)3.007nF@20V
反向传输电容(Crss)291pF@20V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)335pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 8.5

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    (4000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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