我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
立创商城logo
购物车0
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
IRFR2307ZTRPBF-VB实物图
  • IRFR2307ZTRPBF-VB商品缩略图
  • IRFR2307ZTRPBF-VB商品缩略图
  • IRFR2307ZTRPBF-VB商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRFR2307ZTRPBF-VB

1个N沟道 耐压:100V 电流:9.2A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFR2307ZTRPBF-VB
商品编号
C5456564
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.46克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)9.2A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)38nC@10V
输入电容(Ciss)2.4nF@50V
反向传输电容(Crss)80pF@50V
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

  • 9.5折

    购买数量

    (2500个/圆盘，最小起订量 1 个)
    个
    起订量：1 个2500个/圆盘

    总价金额：

    ￥ 0.00

    近期成交0单