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IRFU120NPBF-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRFU120NPBF-VB

1个N沟道 耐压:100V 电流:12A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款一款单通道N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于汽车电子、工业控制、电源转换器、家用电器等多种领域和模块。TO251；N—Channel沟道,100V；12A；RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFU120NPBF-VB
商品编号
C5456567
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
0.763克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))200mΩ@10V
耗散功率(Pd)60W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)16nC@10V
输入电容(Ciss)360pF
反向传输电容(Crss)34pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)150pF

数据手册PDF

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