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IRLMS1503TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:6A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有小型封装和低功耗特性，采用Trench工艺制造。适用于小型电路控制和低功率应用的高性能MOSFET产品。SOT23-6；N—Channel沟道,30V；6A；RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRLMS1503TRPBF-VB商品编号
C5456576商品封装
TSOP-6包装方式
编带
商品毛重
0.051克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
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