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IRLML2060TRPBF-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRLML2060TRPBF-VB

1个N沟道 耐压:60V 电流:4A

描述
台积电流片,长电科技封装;这是一款单N沟道MOSFET,采用Trench工艺,适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。SOT23;N—Channel沟道,60V;4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1~3V;
商品型号
IRLML2060TRPBF-VB
商品编号
C5456575
商品封装
SOT-23(TO-236)​
包装方式
编带
商品毛重
0.049克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)1.09W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)2.1nC@10V
输入电容(Ciss)180pF@30V
反向传输电容(Crss)13pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

交货周期

订货7-9个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1个/圆盘

总价金额:

0.00

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