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IRLI3615PBF-VB实物图
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IRLI3615PBF-VB

1个N沟道 耐压:200V 电流:20A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N型沟道MOSFE，采用Trench工艺，适用于电源模块、汽车电子模块、太阳能逆变器模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,200V；20A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRLI3615PBF-VB
商品编号
C5456572
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.765克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))58mΩ@10V
耗散功率(Pd)42W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)70nC@10V
输入电容(Ciss)1.3nF
反向传输电容(Crss)130pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)430pF

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