IRLI3615PBF-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:20A
描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N型沟道MOSFE,采用Trench工艺,适用于电源模块、汽车电子模块、太阳能逆变器模块等领域。TO220F;N—Channel沟道,200V;20A;RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRLI3615PBF-VB商品编号
C5456572商品封装
TO-220F包装方式
管装
商品毛重
2.765克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
漏源电压(Vdss) | 200V | |
连续漏极电流(Id) | 20A |
梯度价格
梯度
售价
折合1管
1+¥6.58
10+¥6.43
50+¥6.34¥317
100+¥6.24¥312
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
0
江苏仓
26
购买数量(50个/管,最小起订量 1 个 )
个
起订量:1 个50个/管
近期成交1单